GBT = Ein Bipolartransistor mit iso

GBT = Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (english Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (z.B. gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit beim Schweißgeräten) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen Leistungs-MOSFETs

Résultats (Français) 1:

GBT = un bipolaire transistor avec électrode à porte isolée (anglais Insulated gate transistor bipolaire, IGBT court) est un dispositif à semi-conducteur qui est utilisé de plus en plus en électronique de puissance, car il combine les avantages du transistor bipolaire (p. ex. bonne fluidité, haute tension, robustesse à l'équipement de soudage) et des avantages d'un transistor à effet de champ (presque contrôle de moyens de subsistance). Une certaine robustesse contre les courts-circuits est aussi bénéfique que la limite de l'IGBT la charge actuelle. IGBT est un développement ultérieur des MOSFET de puissance verticale

Résultats (Français) 2:

GBT = Une transistor bipolaire à grille isolée (anglais grille isolée transistor bipolaire, à court IGBT) est un dispositif semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans l'électronique de puissance, car il bénéficie du transistor bipolaire (par exemple, un bon comportement de passage, haute tension inverse, la robustesse de l'équipement de soudage) et avantages un transistor à effet de champ (contrôle presque Impuissant) combinés. De plus avantageuse est une certaine robustesse par rapport à un court-circuit, étant donné que l'IGBT est limité au courant de charge. IGBT sont une évolution des MOSFET de puissance verticaux

Résultats (Français) 3:

GBT = un pseudo - et de l'électrode de grille isolée (l'anglais, le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est la technologie de l'électronique de puissance halbleiterbauelement, l'utilisation de plus en plus, parce qu'il a un bon lancer durchlassverhalten bipolartransistors (par exemple, élevée,Les avantages de la machine de soudage à feldeffekttransistors robuste et (presque) leistungslose Protocole de commande).Favorable également un certain degré de court - circuit de la robustesse de l'IGBT, étant donné que le courant de charge est limitée.C'est un développement de puissance IGBT vertical de tubes